IRHNA57260SED
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IRHNA57260SED

数据手册
封装

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IRHNA57260SED
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数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    35 A
  • 最高 ID (@25°C)
    53.5 A
  • QG
    155 nC
  • QPL部件号
    2N7473U2
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    38 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    SMD-2
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 on carrier
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 on carrier
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNA57260SED R5 N 沟道 MOSFET 是一款抗辐射单 MOSFET，额定电压为 200V，电流为 35A，非常适合空间应用。其电气性能高达 100krad(Si) TID，低 RDS(on) 和低栅极电荷使其非常适合 DC-DC 转换器和电机控制。该抗辐射COTS器件还保留了MOSFET的所有优点，例如电压控制、快速开关和温度稳定性；

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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