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IRHNA57Z60D

数据手册
封装

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IRHNA57Z60D
IRHNA57Z60D
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    75 A
  • ID (@25°C) max
    75 A
  • QG
    200 nC
  • QPL部件号
    2N7467U2
  • RDS (on) (@25°C) max
    3.5 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    30 V
  • VF max
    1.3 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    SMD-2
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 on carrier
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 on carrier
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNA57Z60D R5 抗辐射 N 沟道 MOSFET 专为具有 30V/75A 功能的空间应用而设计。DBC 载体上的 SMD-2 封装提供高达 100krad(Si) TID 分类的电气性能。经过卫星应用验证的可靠性使其成为具有低 RDS(on) 和栅极电荷的 DC-DC 转换器和电机控制的理想选择。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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