IRHNJ57230SEA
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IRHNJ57230SEA

数据手册
封装

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IRHNJ57230SEA
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数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1A
  • 最高 ID (@100°C)
    7.8 A
  • 最高 ID (@25°C)
    12 A
  • QG
    35 nC
  • QPL部件号
    2N7486U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    220 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHNJ57230SEA 抗辐射 N 沟道 MOSFET，采用 SMD-0.5 封装，是单个器件，电气性能高达 100krad(Si) TID，QPL 分类。其 IR HiRel R5 技术确保了空间应用中的强大性能和可靠性。这款 R5 MOSFET 的最大电压为 30V，电流为 22A，非常适合卫星总线和有效载荷电源系统中的 DC-DC 转换器和电机控制。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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