IRHNJ57234SESCS

数据手册

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IRHNJ57234SESCS
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数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    6.4 A
  • ID (@25°C) max
    10 A
  • QG
    32 nC
  • QPL Part Number
    2N7555U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    400 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100
  • Package
    SMD-0.5
  • Polarity
    N
  • Generation
    R5
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    QIRL
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHNJ57234SESCS R5 N沟道MOSFET是用于空间应用的抗辐射器件，峰值电压为250V，电流容量为10A。该器件具有QIRL分类和高达100krad(Si) TID的电气性能。采用引线朝上的 SMD-0.5 封装，结合低 RDS(on) 和低栅极电荷，可降低开关应用中的功率损耗，同时保持 MOSFET 的所有优点。

应用

文档

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