现货，推荐

IRHNJ67C30

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNJ67C30
IRHNJ67C30
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    2.2 A
  • ID (@25°C) max
    3.4 A
  • QG
    52 nC
  • QPL Part Number
    2N7598U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    2900 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    600 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SMD-0.5
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射 N 沟道 MOSFET IRHNJ67C30 是一款适用于空间应用的高性能功率 MOSFET。这款 R6 单 MOSFET 电压为 600V，电流为 3.4A，采用 SMD-0.5 封装，可承受高达 100krad（Si）的 TID 辐射。其非常低的 RDS(on) 和更快的开关时间可降低功率损耗并提高功率密度，使其成为 DC-DC 转换器和电机控制器等高速开关应用的理想选择。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }