IRHNJ67C30
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IRHNJ67C30

数据手册
封装

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IRHNJ67C30
IRHNJ67C30
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    2.2 A
  • 最高 ID (@25°C)
    3.4 A
  • QG
    52 nC
  • QPL部件号
    2N7598U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    2900 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    600 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
抗辐射 N 沟道 MOSFET IRHNJ67C30 是一款适用于空间应用的高性能功率 MOSFET。这款 R6 单 MOSFET 电压为 600V，电流为 3.4A，采用 SMD-0.5 封装，可承受高达 100krad（Si）的 TID 辐射。其非常低的 RDS(on) 和更快的开关时间可降低功率损耗并提高功率密度，使其成为 DC-DC 转换器和电机控制器等高速开关应用的理想选择。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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