IRHNJ9A7130SCS

数据手册

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IRHNJ9A7130SCS
IRHNJ9A7130SCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    22 A
  • ID (@25°C) max
    35 A
  • QG
    48 nC
  • QPL部件号
    2N7648U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    34 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHNJ9A7130SCS 是一款抗辐射 N 沟道 R9 MOSFET，具有 100V 和 35A 的能力。它采用密封 SMD-0.5 封装，可提供高达 100krad(Si) TID 的电气性能和 QIRL 空间级分类。凭借改进的 SEE 抗扰度、低 RDS(on) 和更快的开关时间，这款抗辐射 MOSFET 非常适合太空中的高速开关应用。

应用

文档

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设计资源

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