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IRHNME9A7024

60V，25A，抗辐射 MOSFET，SMD-0.2e 陶瓷盖封装 – 100 krad TID，商用现货
数据手册

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IRHNME9A7024
IRHNME9A7024
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • ID (@25°C) max
    25 A
  • QG
    31 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    30 Ω
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2e
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    1
  • 认证标准
    COTS
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 C-CCN-3
封装名 SMD-0.2E CLID
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 C-CCN-3
封装名 SMD-0.2E CLID
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNME9A7024 是一款 R9 代抗辐射 N 沟道 MOSFET，采用 SMD-0.2e 封装，带有陶瓷盖，耐压 60V，电流 25A。它非常适合空间应用，因为它结合了极低的导通电阻RDS(on) ) 和快速的开关特性，可以在直流-直流转换器或电机驱动等应用中实现更好的性能。该器件保留了所有 MOSFET 成熟的优点，如电压控制和快速开关。

特性

  • 抗单粒子效应（SEE），最大 LET 值高达 90 MeV.cm2/mg
  • 极低的 RDS(on) )
  • 门级电荷低
  • 快速开关
  • 密封陶瓷封装
  • 贴片封装
  • 重量轻
  • 静电防护等级：符合MIL-STD-750 标准 1020方法，达 1C 级

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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