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IRHYB9A3130CM

数据手册
封装

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IRHYB9A3130CM
IRHYB9A3130CM
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    22 A
  • ID (@25°C) max
    30 A
  • QG
    44 nC
  • QPL部件号
    2N7648D5
  • RDS (on) (@25°C) max
    35 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA Tabless Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHYB9A3130CM 是一款抗辐射单 R9 N 沟道 MOSFET，工作电压为 100V/30A。其低 RDS(on) 和改进的 SEE 抗扰度使其成为电机控制器和 DC-DC 转换器等高速开关应用的理想选择。该 COTS 器件采用 TO-257AA 无凸缘低欧姆封装，适用于空间应用。

应用

文档

文档

设计资源

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