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IRHYB9A93230CM

数据手册
封装

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IRHYB9A93230CM
IRHYB9A93230CM
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    2
  • ID (@25°C) max
    -14 A
  • QG
    49 nC
  • QPL部件号
    2N7661D5
  • RDS (on) (@25°C) max
    175 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -200 V
  • VF max
    -1.3 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    Tabless TO-257A
  • 极性
    P
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHYB9A93230CM P 通道 MOSFET 具有抗辐射性能，电压为 -200V 和电流为 -14A，采用单个 TO-257AA Tabletss 封装，电气性能高达 300krad(Si) TID。IR HiRel R9 技术在高可靠性空间应用方面提供了经过验证的飞行传承。该器件的低 RDS(on) 和低栅极电荷使其成为开关应用的理想选择。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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