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32 位 FM Arm® Cortex® 微控制器
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TriCore™ AURIX™ TC2x安全模块
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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美国国际贸易委员会（ITC）裁定英飞凌胜诉，并对英诺赛科实施进口及销售禁令
英飞凌发布2026财年第二季度运营成果： 增长前景乐观，上调全年业绩指引。AI 热潮持续增强。汽车业务订单回暖。自第四季度起启用调整后的事业部架构
英飞凌再次入选全球可持续发展领军企业
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IRHYS67230CMSCS
-
ESD等级Class 2
-
最高 ID (@100°C)10 A
-
最高 ID (@25°C)16 A
-
QG42 nC
-
QPL部件号2N7592T3
-
最高 RDS (on) (@25°C)130 mΩ
-
最高 TID100 Krad(Si)
-
最低 VBRDSS200 V
-
最高 VF1.2 V
-
产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))100 300
-
封装TO-257AA Low Ohmic
-
极性N
-
生成R6
-
电压等级100 V
-
芯片尺寸3
-
认证标准QIRL
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语言SPICE
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OPN
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|---|
| 产品状态 |
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| 封装名 |
| 封装尺寸 |
| 封装类型 |
| 湿度 |
| 防潮封装 |
| 无铅 |
| 无卤素 |
| 符合RoHS标准 |
|
Infineon stock last updated:
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IRHYS67230CMSCS N沟道MOSFET是一款抗辐射功率MOSFET，最大电压为200V，电流容量为16A。由于具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，该 MOSFET 非常适合用于 DC-DC 转换器和电机控制等开关应用。该 QIRL 设备采用 IR HiRel R6 技术，在卫星应用中具有经过验证的性能和可靠性。
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