IRHYS67230CMSCS

数据手册

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IRHYS67230CMSCS
IRHYS67230CMSCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    10 A
  • ID (@25°C) max
    16 A
  • QG
    42 nC
  • QPL部件号
    2N7592T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    130 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHYS67230CMSCS N沟道MOSFET是一款抗辐射功率MOSFET，最大电压为200V，电流容量为16A。由于具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，该 MOSFET 非常适合用于 DC-DC 转换器和电机控制等开关应用。该 QIRL 设备采用 IR HiRel R6 技术，在卫星应用中具有经过验证的性能和可靠性。

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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