IRL8114

采用 TO-220AB 封装的 30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRL8114
IRL8114
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    120 A
  • Ptot max
    115 W
  • Qgd
    6.7 nC
  • QG (typ @4.5V)
    19 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    4.5 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    5.8 mΩ
  • RthJC max
    1.3 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    TO-220
  • Polarity
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 4.5V VGS 时 RDS(on) 较低
  • 低栅极电荷
  • 全面表征电容和雪崩 SOA
  • 无铅

应用

文档

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设计资源

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