IRL8114

IRL8114

采用 TO-220AB 封装的 30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRL8114
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数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    120 A
  • 最高 Ptot
    115 W
  • Qgd
    6.7 nC
  • QG (typ @4.5V)
    19 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    4.5 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    5.8 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.3 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    30 V
  • VGS(th) 范围
    1.35 V 至 2.25 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 极性
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 4.5V VGS 时 RDS(on) 较低
  • 低栅极电荷
  • 全面表征电容和雪崩 SOA
  • 无铅

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区