ISZ0901NLS

OptiMOS ™低压功率 MOSFET - 完美满足充电器和适配器设计的需求
数据手册

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ISZ0901NLS
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商品详情

  • Ciss
    670 pF
  • Coss max
    290 pF
  • ID max
    40 A
  • IDpuls max
    160 A
  • Ptot max
    26 W
  • QG (typ @4.5V)
    4.4 nC
  • QG (typ @10V)
    9.1 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    6 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V LL) max
    8.1 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    8.1 mΩ
  • RthJA max
    60 K/W
  • RthJC max
    4.9 K/W
  • Rth
    4.9 K/W
  • VDS max
    25 V
  • VGS(th)
    1.2 V to 2 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead
  • 工作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 极性
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
OptiMOS ™ PD 功率 MOSFET 是英飞凌针对 USB-PD 和适配器应用的产品组合。该产品具有快速提升和优化交货时间的特点。用于电力传输的 OptiMOS ™低压 MOSFET 可减少设计中的零件数量，从而降低 BOM 成本。OptiMOS ™ PD 的特点是采用紧凑、轻便的封装，提供优质的产品。单击此处查看完整产品组合。

特性

  • 逻辑电平
  • 低导通电阻 RDS(on)
  • 低栅极、输出和反向恢复电荷
  • 出色的热性能

产品优势

  • 快速报价响应
  • 最高效率和功率密度设计
  • 紧凑、轻便、环保的产品
  • 卓越的性价比

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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