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JANSF2N7381

数据手册
封装

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JANSF2N7381
JANSF2N7381
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    6 A
  • ID (@25°C) max
    9.4 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7381
  • RDS (on) (@25°C) max
    400 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.4 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-257AA
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA STANDARD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA STANDARD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射 JANSF2N7381 N 沟道 MOSFET 是一款专为空间应用而设计的高性能功率器件。这款符合 QPL 标准的 R4 器件额定电压为 200V，额定电流为 9.4A，可保证 DC-DC 转换器和电机控制的可靠高效性能。它还经过抗辐射处理，通过了 TID 和 SEE 测试，并采用 TO-257AA 封装。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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