JANSF2N7649D5
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JANSF2N7649D5

数据手册
封装

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JANSF2N7649D5
JANSF2N7649D5
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    10.5 A
  • 最高 ID (@25°C)
    17 A
  • QG
    34 nC
  • QPL部件号
    2N7649T3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    110 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    300
  • 封装
    TO-257AA Low Ohmic
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    DLA

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IR HiRel R9 超结技术是此款采用 TO-257AA 低欧姆封装的单抗辐射 N 沟道 MOSFET 的基础。JANSF2N7649D5 MOSFET 额定电压为 250V，额定电流为 17A，非常适合空间应用。它们提高了对单粒子效应的免疫力，并提供高达 300krad(Si) TID 的电气性能。它们的低 RDS(on) 和更快的开关时间可减少功率损耗并提高功率密度。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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