JANSF2N7659U3CE
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JANSF2N7659U3CE

从 -30 V 到 -200 V，符合 DLA 太空应用标准
数据手册
封装

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JANSF2N7659U3CE
JANSF2N7659U3CE
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@25°C)
    -32 A
  • QG
    48 nC
  • QPL部件号
    2N7659U3CE
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    45 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -60 V
  • 最高 VF
    -1.3 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5e
  • 极性
    P
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    3
  • 质量等级
    DLA

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 Enhanced SMD0.5
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 Enhanced SMD0.5
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射，-60V，-32A，单通道，P沟道MOSFET，R9采用SMD-0.5e陶瓷盖封装 - SMD-0.5e（陶瓷盖），300krad（Si）TID，QPL

特性

  • 单粒子效应 (SEE) 强化
  • 低 RDS(on)
  • 坚固的 SOA
  • 增强雪崩能量
  • 简单的驱动器要求
  • 密封
  • 陶瓷封装
  • 重量轻
  • 表面贴装
  • ESD 等级：2 级（符合 MIL-STD-750，方法 1020）

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区