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微控制器
32-bit FM Arm® Cortex® Microcontroller
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微控制器
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32 位TriCore™ AURIX™ – TC3xx
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微控制器
32 位 PSOC™ Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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JANSG2N7481U3
商品详情
-
ESD ClassClass 1C
-
ID (@100°C) max16 A
-
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QG50 nC
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QPL Part Number2N7481U3
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TID max500 Krad(Si)
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VBRDSS100 V
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VF max1.2 V
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Product CategoryRad hard MOSFETS
-
Optional TID Rating (kRad(si))100 300 500
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PackageSMD-0.5
-
PolarityN
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GenerationR5
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Voltage Class100 V
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Die Size3
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QualificationDLA
-
LanguageSPICE
-
ConfigurationDiscrete
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OPN
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|
Infineon stock last updated:
|
||
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||
| 产品状态 |
Active
|
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | SMD-0.5 Metal Lid |
| 包装尺寸 | 0 |
| 包装类型 | |
| 湿度 | - |
| 防潮包装 | |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
JANSG2N7481U3 N 沟道 MOSFET 是一款高性能功率 MOSFET，非常适合空间应用。该设备采用抗辐射设计，额定电压为 100V，额定电流为 22A，电气性能高达 500krad(Si) TID，可实现可靠的开关和低功耗。低 RDS(on) 和低栅极电荷使其非常适合 DC-DC 转换器和电机控制。采用紧凑的 SMD-0.5 封装，此 R5 MOSFET 保留了 MOSFET 的所有优点。