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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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JANSR2N7381
商品详情
-
ESD等级Class 1C
-
ID (@100°C) max6 A
-
ID (@25°C) max9.4 A
-
QG50 nC
-
QPL部件号2N7381
-
RDS (on) (@25°C) max400 mΩ
-
TID max100 Krad(Si)
-
VBRDSS200 V
-
VF max1.4 V
-
可选TID等级 (kRad(si))100 300 500
-
封装TO-257AA
-
极性N
-
生成R4
-
芯片尺寸3
-
认证标准DLA
-
配置Discrete
| 推荐的 | ||
|
OPN
|
||
| 产品状态 | active and preferred | |
| 英飞凌封装名称 | ||
| 封装名 | TO-257AA STANDARD | |
| 包装尺寸 | N/A | |
| 包装类型 | N/A | |
| 湿度 | N/A | |
| 防潮包装 | N/A | |
| 无铅 | No | |
| 无卤素 | No | |
| 符合RoHS标准 | No | |
|
Infineon stock last updated:
|
||
|
|
||
| 产品状态 |
Active
|
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | TO-257AA STANDARD |
| 包装尺寸 | 0 |
| 包装类型 | |
| 湿度 | - |
| 防潮包装 | |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
抗辐射 N 沟道 MOSFET JANSR2N7381 是采用 TO-257AA 封装的单个器件，能够处理 200V 和 9.4A。其电气性能经验证高达 500krad(Si) TID，使该 R4 设备适合于空间应用。凭借低 RDS(on) 和低栅极电荷，它可以降低 DC-DC 转换器和电机控制中的功率损耗。