JANSR2N7381
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JANSR2N7381

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封装

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JANSR2N7381
JANSR2N7381
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    6 A
  • 最高 ID (@25°C)
    9.4 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7381
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    400 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.4 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-257AA
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
抗辐射 N 沟道 MOSFET JANSR2N7381 是采用 TO-257AA 封装的单个器件，能够处理 200V 和 9.4A。其电气性能经验证高达 500krad(Si) TID，使该 R4 设备适合于空间应用。凭借低 RDS(on) 和低栅极电荷，它可以降低 DC-DC 转换器和电机控制中的功率损耗。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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