JANSR2N7390U
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JANSR2N7390U

数据手册
封装

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JANSR2N7390U
JANSR2N7390U
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • 最高 ID (@100°C)
    -2.4 A
  • 最高 ID (@25°C)
    -4 A
  • QG
    45 nC
  • QPL部件号
    2N7390U
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    800 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -200 V
  • 最高 VF
    -5 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    18-pin LCC
  • 极性
    P
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 配置
    Discrete

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-LCC-18
封装名 LCC-18 MOSFET
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-LCC-18
封装名 LCC-18 MOSFET
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
P 通道 MOSFET JANSR2N7390U 是单个抗辐射元件，额定电压为 -200V，容量为 -4A。其 18 针 LCC 封装具有高达 100krad(Si) TID 和 QPL 资格的电气性能，非常适合空间应用。R4 MOSFET 具有低 RDS(on) 和功率损耗，非常适合空间电源系统中的 DC-DC 转换器和电机驱动器。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区