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JANSR2N7583U2A

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JANSR2N7583U2A
JANSR2N7583U2A

商品详情

  • ESD Class
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    40 A
  • ID (@25°C) max
    56 A
  • QG
    240 nC
  • QPL Part Number
    2N7583U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    28 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SupIR-SMD
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Die Size
    6
  • Qualification
    DLA
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 SupIR-SMD 封装的抗辐射 N 沟道 MOSFET JANSR2N7583U2A 是适合空间应用的单个设备。这款 R6 MOSFET 具有 200V、56A、高达 100krad(Si) TID 的电气性能和 QPL 分类,可靠性极高。其低 RDS(on) 和栅极电荷可降低功率损耗,其快速开关和电压控制使其非常适合空间电源系统中的 DC-DC 转换器和电机控制器。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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