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JANSR2N7585U2A

数据手册
封装

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JANSR2N7585U2A
JANSR2N7585U2A
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    31.5 A
  • ID (@25°C) max
    50 A
  • QG
    220 nC
  • QPL部件号
    2N7585U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    40 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
这款采用 SupIR-SMD 封装的 R6 N 沟道 MOSFET JANSR2N7585U2A 具有 250V 和 50A 容量，抗辐射能力强，非常适合空间应用。其电气性能高达100krad(Si) TID和QPL分类确保了高可靠性。低 RDS(on) 和栅极电荷降低了 DC-DC 转换器和电机控制器中的功率损耗，并且保留了所有公认的 MOSFET 优势。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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