JANSR2N7647U3
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JANSR2N7647U3

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封装

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JANSR2N7647U3
JANSR2N7647U3
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    29 A
  • 最高 ID (@25°C)
    40 A
  • QG
    45 nC
  • QPL部件号
    2N7647U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    18 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    DLA

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7647U3 是一款抗辐射 N 沟道 MOSFET，是采用 R9 SMD-0.5 封装的单个 MOSFET，可处理高达 60V 和 40A 的电压。其符合 QPL 分类，电气性能高达 100krad(Si) TID。该 R9 MOSFET 提高了对单粒子效应的免疫力，可用于空间和卫星电源系统中的高速开关应用。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区