JANSR2N7651U8C
不建议用于新设计

JANSR2N7651U8C

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
数据手册
封装

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JANSR2N7651U8C
JANSR2N7651U8C
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    14 A
  • 最高 ID (@25°C)
    23 A
  • QG
    23 nC
  • QPL部件号
    2N7651U8C
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    55 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2C
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    1.7
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
R9 N 沟道 MOSFET JANSR2N7651U8C 是一款采用紧凑型 SMD-0.2 封装的抗辐射器件，具有出色的抗 SEE 能力。其低 RDS(on) 和快速切换使其成为卫星总线和有效载荷电源系统中的 DC-DC 转换器和电机驱动器的理想选择。这款 QPL 分类 MOSFET 具有温度稳定性和电压控制性能，可以承受高达 100krad（Si）的 TID 和高达 90 MeV·cm2/mg 的 LET，适用于空间应用。

应用

文档

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