JANSR2N7666U2A
现货，推荐

JANSR2N7666U2A

从 -30 V 到 -200 V，符合 DLA 太空应用标准
数据手册
封装

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JANSR2N7666U2A
JANSR2N7666U2A
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@25°C)
    -62 A
  • QG
    230 nC
  • QPL部件号
    2N7666U2A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    32 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -200 V
  • 最高 VF
    -1.3 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    P
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
抗辐射，-200V，-62A，P沟道MOSFET，R9采用SUPIR-SMD封装 - SUPIR-SMD 100krad(Si) TID，QPL

特性

  • 单粒子效应 (SEE) 硬化（LET 高达 90.5 MeV·cm2 /mg）
  • 低 RDS(on)
  • 改进的 SOA，用于线性模式操作
  • 快速开关
  • 低总栅极电荷
  • 简单的驱动要求
  • 密封
  • 电气隔离
  • 重量轻
  • ESD 等级：3B 级，符合 MIL-STD-750，方法 1020

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区