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JANTXVR2N7261U

数据手册
封装

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JANTXVR2N7261U
JANTXVR2N7261U
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    5 A
  • ID (@25°C) max
    8 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7261U
  • RDS (on) (@25°C) max
    180 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.5 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    18-pin LCC
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-LCC-18
封装名 LCC-18 MOSFET
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-LCC-18
封装名 LCC-18 MOSFET
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANTXVR2N7261U 是一款高性能抗辐射 N 沟道 MOSFET，专为额定电压为 100V、电流为 8A 的空间应用而设计。这些器件的电气性能高达 500krad(Si) TID，采用 18 针 LCC 封装，在卫星总线和有效载荷应用中已证明具有数十年的可靠性。低 RDS(on) 和低栅极电荷可降低功率损耗，同时提供 MOSFET 的公认优势。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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