JANTXVR2N7262U
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JANTXVR2N7262U

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封装

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JANTXVR2N7262U
JANTXVR2N7262U
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    3.5 A
  • 最高 ID (@25°C)
    5.5 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7262U
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    350 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.4 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    18-pin LCC
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    3
  • 质量等级
    DLA

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-LCC-18
封装名 LCC-18 MOSFET
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-LCC-18
封装名 LCC-18 MOSFET
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANTXVR2N7262U 是一款 200V 和 8A 抗辐射单 N 沟道 MOSFET。其具有低 RDS(on)、低栅极电荷和高性能功率的特点。其电气性能高达 500krad(Si) TID，符合 QPL 分类，非常适合空间应用。该 R4 器件采用 18 引脚 LCC 封装，经证实在卫星应用中可靠，同时具有 MOSFET 的公认优势。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区