JANTXVR2N7474U2
现货，推荐

JANTXVR2N7474U2

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

JANTXVR2N7474U2
JANTXVR2N7474U2
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    31 A
  • 最高 ID (@25°C)
    49 A
  • QG
    165 nC
  • QPL部件号
    2N7474U2
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    60 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    SMD-2
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
JANTXVR2N7474U2 N 沟道 MOSFET 是专为空间应用而设计的单一设备。该防辐射设备具有 250V、31A 的容量，采用 IR HiRel R5 技术，该技术以其在卫星应用中数十年的高性能和可靠性而闻名。其低 RDS(on) 和栅极电荷可降低开关应用中的功率损耗。JANTXVR2N7474U2 符合 QPL 标准，电气性能高达 100krad TID，并采用 SMD-2 封装。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区