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符合RoHS标准
无铅

S25FL128LAGMFB010

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每件.
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S25FL128LAGMFB010
S25FL128LAGMFB010
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    128 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    66 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • 目前计划的可用性至少到
    2032
  • 系列
    FL-L
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
S25FL128LAGMFB010
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (002-15548)
包装尺寸 560
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (002-15548)
包装尺寸 560
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
S25FL128LAGMFB010是一款128 Mb（16 MB）串行NOR闪存，采用65纳米浮栅技术，支持SPI多I/O接口（单、双、四路、QPI、DDR模式）。2.7 V至3.6 V电源，适用于最高125°C的工业和汽车温度范围，符合AEC-Q100等级。高达66 MBps（四路DDR）的读取速率和四个可锁定256字节安全区域，适用于代码影像、XIP和嵌入式存储。

特性

  • SPI接口支持单/双/四I/O
  • 支持DDR双倍数据率读取
  • 256字节页编程缓冲区
  • 4 KB/32 KB/64 KB/整片擦除
  • 10万次擦写寿命
  • 20年数据保存
  • 安全区带独立锁定位
  • 深度掉电模式保护数据
  • 2.7V至3.6V单电源
  • 最高+125°C工作温度
  • 输入信号过冲容忍±1.0 V（≤20ns）
  • 支持SFDP参数配置

产品优势

  • 灵活I/O提升数据传输速度
  • DDR读取提升系统吞吐
  • 256字节缓冲区加速编程
  • 多种擦除粒度便于管理
  • 高耐久性保障长期可靠
  • 长期数据保存更安全
  • 安全区防止非法访问
  • DPD模式防止误操作
  • 宽电压兼容多系统
  • 高温工作适应恶劣环境
  • 过冲容忍提升信号可靠性
  • SFDP简化配置

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }