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无铅

S25FL128LAGMFV003

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S25FL128LAGMFV003
S25FL128LAGMFV003

商品详情

  • 密度
    128 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    66 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / 66
  • 目前计划的可用性至少到
    2032
  • 系列
    FL-L
OPN
产品状态 on request
英飞凌封装名称
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 1450
包装类型 TAPE & REEL
湿度 N/A
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 on request
英飞凌封装名称
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 1450
包装类型 TAPE & REEL
湿度 -
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25FL128LAGMFV003是一款128 Mb (16 MB) SPI NOR闪存,采用65纳米浮栅技术,支持最高133 MHz的单/双/四I/O。工作电压2.7 V至3.6 V,符合AEC-Q100 Grade 1(–40°C至+125°C)认证,具备256字节页缓存、4 KB均匀扇区擦除、先进安全区和10万次擦写。最高66 MBps四路读和DDR操作,适合汽车和嵌入式代码存储。

特性

  • SPI接口支持单、双、四I/O
  • 支持DDR双数据率读取
  • 256字节页编程缓冲区
  • 统一4KB扇区、32KB半块、64KB块擦除
  • 安全区带OTP锁定位
  • 深度掉电模式保护数据
  • 最少10万次擦写寿命
  • 最低20年数据保存
  • 2.7V至3.6V单电源
  • 输入电压容差VSS-1.0V至VCC+1.0 V(20ns)
  • 硬件与软件数据保护功能
  • 工作温度最高+125°C

产品优势

  • 灵活I/O提升数据传输速度
  • DDR读取提升系统性能
  • 大缓冲区提高编程效率
  • 多种擦除简化管理
  • 安全区防止非法访问
  • 深度掉电防误操作
  • 高耐久保障寿命
  • 长期保存关键数据
  • 宽电压适用多场景
  • 抗电压瞬变更可靠
  • 数据保护防止损坏
  • 宽温度适应恶劣环境

应用

文档

设计资源

开发者社区

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