现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S25FL256SAGBHI213

数据手册
封装
软件

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S25FL256SAGBHI213
S25FL256SAGBHI213
数据手册

商品详情

  • 密度
    256 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口带宽
    52 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FL-S
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S25FL256SAGBHI213
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15534)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15534)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25FL256SAGBHI213是一款256 Mb（32 MB）SPI多I/O NOR闪存，采用65纳米MIRRORBIT™技术和Eclipse架构，实现高速编程和擦除。支持单、双、四I/O SPI及DDR模式，最高读取速度80 MBps，页编程速率1.5 MBps。核心电压2.7 V至3.6 V，I/O电压1.65 V至3.6 V，通过AEC-Q100 Grade 2汽车级认证（–40°C至+105°C），适用于对安全性和可靠性有高要求的汽车和嵌入式应用。

特性

  • CMOS 3.0 V内核，灵活I/O
  • SPI多I/O接口
  • 支持DDR和SDR时钟
  • 24/32位扩展寻址
  • 多种读取模式：普通、快速、双、四、DDR
  • 页编程速率高达1.5 MBps
  • 自动ECC单比特纠错
  • 混合/统一扇区擦除选项
  • 10万次擦写寿命
  • 20年数据保存
  • 1024字节OTP安全区
  • 高级扇区和块保护

产品优势

  • 灵活I/O简化系统集成
  • 高速SPI提升数据吞吐
  • DDR/SDR设计灵活
  • 扩展寻址支持大容量
  • 多读取模式优化性能
  • 快速编程加速生产
  • ECC提升数据可靠性
  • 扇区选项便于兼容
  • 高耐久降低维护成本
  • 长期保存确保数据安全
  • OTP区实现安全ID
  • 保护机制增强安全性

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }