现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S25FS064SAGBHI020

数据手册
封装
软件

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S25FS064SAGBHI020
S25FS064SAGBHI020
数据手册

商品详情

  • 密度
    64 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口带宽
    66 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FS-S
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S25FS064SAGBHI020
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15534)
包装尺寸 3380
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15534)
包装尺寸 3380
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25FS064SAGBHI020是一款64 Mb（8 MB）串行NOR闪存，采用Infineon 65纳米MIRRORBIT™技术和ECLIPSE架构，支持1.8 V SPI多I/O，具备单、双、四I/O及DDR模式。最大读取速率80 MBps，10万次编程/擦除耐久性，灵活的扇区结构，OTP和密码保护等高级安全特性。工作温度-40°C至+125°C（AEC-Q100 1级）。

特性

  • 支持单/双/四/ QPI模式SPI
  • 支持DDR读命令
  • 256/512字节页编程缓冲区
  • 混合与统一扇区擦除选项
  • 最小10万次擦写寿命
  • 最小20年数据保持
  • 1024字节OTP阵列可锁定
  • 自动ECC单比特纠错
  • 高级扇区与块保护
  • 65 nm MIRRORBIT™技术
  • 供电电压1.7V至2.0 V
  • 工作温度最高+125°C

产品优势

  • 灵活I/O实现高速数据访问
  • DDR读提升系统性能
  • 大缓冲区加快编程速度
  • 多种擦除模式满足需求
  • 高耐久性确保可靠运行
  • 长期数据保存更安全
  • OTP阵列支持安全ID
  • ECC提升数据完整性
  • 强大保护防止数据丢失
  • 先进工艺实现高密度
  • 低电压降低功耗
  • 宽温度适应恶劣环境

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }