现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S25FS512SAGNFI010

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封装
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S25FS512SAGNFI010
S25FS512SAGNFI010
数据手册

商品详情

  • 密度
    512 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    66 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FS-S
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S25FS512SAGNFI010
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-15552)
包装尺寸 338
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-15552)
包装尺寸 338
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25FS512SAGNFI010是一款512 Mb（64 MB）车规级、AEC-Q100认证的串行NOR Flash存储器，工作电压1.7 V至2.0 V，支持最高125°C。采用65纳米MIRRORBIT™技术和Eclipse架构，具备SPI多I/O（x1、x2、x4）、最高133 MHz SDR和80 MB/s DDR Quad I/O读速，以及256/512字节页编程缓冲区。混合与均匀扇区、10万次擦写、20年数据保持及密码和OTP保护，适用于代码映射、XIP和车载或嵌入式数据存储。

特性

  • 支持多I/O的SPI接口
  • 支持0和3时钟模式
  • 支持DDR模式
  • 24/32位寻址
  • 兼容S25FL系列命令集
  • 多种读取模式：普通、快速、双/四I/O、DDR四I/O
  • 支持包裹、连续（XIP）、QPI模式
  • 256/512字节页编程缓存
  • 内部ECC单比特纠错
  • 混合/统一扇区擦除选项
  • 最小10万次擦写寿命
  • 最低20年数据保持

产品优势

  • 灵活I/O提升数据传输速率
  • DDR模式提高吞吐量
  • 大缓存加快编程速度
  • ECC提升数据可靠性
  • 多种擦除适配不同设计
  • 高耐久保证长寿命
  • 长期数据保存更安全
  • 低电压降低能耗
  • 深度掉电节省能耗
  • OTP区增强系统安全
  • 高级保护防止非法访问
  • 兼容现有设计

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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