现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S25HL512TDPMHV010

数据手册
封装
评估板

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S25HL512TDPMHV010
S25HL512TDPMHV010
数据手册

商品详情

  • 密度
    512 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    66 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / 66
  • 目前计划的可用性至少到
    2037
  • 系列
    HL-T
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S25HL512TDPMHV010
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 240
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 240
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
SEMPER ™ NOR 闪存系列中的 S25HL512TDPMHV010 采用卓越的英飞凌 45 纳米 MIRRORBIT ™技术，可在每个存储单元中存储两个数据位。它提供 512 Mbit 密度，具有四路 SPI 接口，工作电压为 3V。该闪存采用 256 或 512 字节的页编程缓冲区和 1024 字节的 OTP 安全硅阵列设计。它旨在确保分区具有高耐久性和长保留期以及功能安全性。

特性

  • 四路 SPI
  • 集成关键安全功能
  • 纠错码
  • 产品可用性 10 年以上
  • 数据保留 25 年
  • 安全启动和诊断

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }