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符合RoHS标准
无铅

S25HL512TDPMHV010

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封装
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S25HL512TDPMHV010
S25HL512TDPMHV010
数据手册

商品详情

  • Density
    512 MBit
  • Peak Reflow Temp
    260 °C
  • Operating Temperature
    -40 °C to 105 °C
  • Operating Voltage
    3 V
  • Lead Ball Finish
    Matte Tin Plating
  • Interface Bandwidth
    66 MByte/s
  • Interfaces
    Quad SPI
  • Interface Frequency (SDR/DDR) (MHz)
    133 / 66
  • Family
    HL-T
  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Qualification
    Industrial
受到推崇的
OPN
S25HL512TDPMHV010
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 240
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 240
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
SEMPER ™ NOR 闪存系列中的 S25HL512TDPMHV010 采用卓越的英飞凌 45 纳米 MIRRORBIT ™技术，可在每个存储单元中存储两个数据位。它提供 512 Mbit 密度，具有四路 SPI 接口，工作电压为 3V。该闪存采用 256 或 512 字节的页编程缓冲区和 1024 字节的 OTP 安全硅阵列设计。它旨在确保分区具有高耐久性和长保留期以及功能安全性。

特性

  • 四路 SPI
  • 集成关键安全功能
  • 纠错码
  • 产品可用性 10 年以上
  • 数据保留 25 年
  • 安全启动和诊断

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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