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符合RoHS标准
无铅

S26HS512TGABHV000

数据手册
封装

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S26HS512TGABHV000
S26HS512TGABHV000
数据手册

商品详情

  • Density
    512 MBit
  • Peak Reflow Temp
    260 °C
  • Operating Temperature
    -40 °C to 105 °C
  • Operating Voltage
    1.8 V
  • Lead Ball Finish
    Sn/Ag/Cu
  • Interface Bandwidth
    400 MByte/s
  • Interfaces
    HYPERBUS
  • Interface Frequency (SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Family
    HS-T
  • Qualification
    Industrial
受到推崇的
OPN
S26HS512TGABHV000
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
包装尺寸 338
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
包装尺寸 338
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌 SEMPER ™ NOR 闪存系列中的 S26HS512TGABHV000 密度为 512 Mbit，并采用 HYPERBUS ™接口。它拥有令人印象深刻的 400 MByte/s 接口带宽，并且运行电压为 1.8V。该设备在 DDR 模式下的接口频率为 200 MHz，采用英飞凌的 45 纳米 MIRRORBIT ™技术，性能卓越。该产品的封装名称为PG-BGA-24。

特性

  • xSPI (HYPERBUS ™ )
  • 集成关键安全功能
  • 纠错码
  • 产品可用性超过 10 年
  • 数据保留时间长达 25 年
  • 安全启动和诊断

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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