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符合RoHS标准
无铅

S26KS256SDPBHM023

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封装
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S26KS256SDPBHM023
S26KS256SDPBHM023
数据手册

商品详情

  • 分类
    ISO 26262-ready
  • 初始访问时间
    96 ns
  • 密度
    256 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 125 °C
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口带宽
    333 MByte/s
  • 接口
    HYPERBUS
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 166
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    KS-S
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
S26KS256SDPBHM023
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S26KS256SDPBHM023是一款256 Mb（32 MB）HYPERFLASH™ NOR闪存，采用65 nm MIRRORBIT™工艺和高速HYPERBUS™ DDR接口，支持1.8 V和3.0 V工作电压，1.8 V下最高166 MHz（333 MBps），3.0 V下100 MHz（200 MBps）。具备96 ns初始随机读取、512字节写入缓冲区、高级扇区保护和10万次擦写寿命，通过AEC-Q100 Grade 1（–40°C至+125°C）认证，支持低功耗待机和深度掉电，24球FBGA封装。

特性

  • 3.0 V I/O，11条总线信号
  • 1.8 V I/O，12条总线信号
  • 最高333 MBps持续读吞吐量
  • DDR：每时钟两次数据传输
  • 8位数据总线（DQ[7:0]）
  • 96 ns初始随机读访问时间
  • 512字节编程缓冲区
  • ECC：1位纠错，2位检测
  • 硬件加速CRC计算
  • 安全硅区（1024字节OTP）
  • 高级扇区保护方法
  • 低功耗模式：待机25 µA，深度掉电8 µA

产品优势

  • 高吞吐量实现快速数据访问
  • DDR提升系统性能
  • 8位总线便于集成
  • 快速随机访问降低延迟
  • 大缓冲区加快编程
  • ECC确保数据完整性
  • CRC快速检测数据错误
  • 安全区保护关键数据
  • 灵活扇区保护增强安全
  • 低功耗延长电池寿命

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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