现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S28HS256TGZBHM010

数据手册
封装

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S28HS256TGZBHM010
S28HS256TGZBHM010
数据手册

商品详情

  • 分类
    ISO 26262-compliant
  • 密度
    256 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 125 °C
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口带宽
    400 MByte/s
  • 接口
    Octal
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    166 / 200
  • 目前计划的可用性至少到
    2037
  • 系列
    HS-T
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
S28HS256TGZBHM010
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
包装尺寸 338
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
包装尺寸 338
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S28HS256TGZBHM010是一款256 Mb SEMPER™ NOR闪存，采用Infineon 45 nm MIRRORBIT™技术，具备高耐久性和数据保持能力。支持八路和SPI接口，SDR读取速度最高166 MBps，DDR最高400 MBps，工作电压1.7 V至2.0 V。功能安全特性包括ISO26262 ASIL B/D认证。汽车级产品符合AEC-Q100标准，支持扩展温度范围，适用于汽车和工业领域。

特性

  • 45 nm MIRRORBIT™技术，单元2位
  • 均匀或混合扇区架构
  • 256/512字节页编程缓冲区
  • 1024字节OTP安全硅阵列
  • Octal和SPI接口，JESD251兼容
  • SDR至166 MBps，DDR至400 MBps
  • 功能安全：ISO26262 ASIL B/D
  • 内置ECC：纠正1位，检测2位错误
  • 接口和数据完整性CRC
  • Endurance Flex耐久均衡架构
  • 扇区/块/高级保护方案
  • 供电电压：1.7–2.0 V或2.7–3.6 V

产品优势

  • 高密度可靠数据存储
  • 灵活分区满足设计需求
  • 快速编程与数据吞吐
  • 敏感数据安全存储
  • 兼容标准SPI/Octal系统
  • 高速数据访问适用高端应用
  • 增强安全适合车载/工业
  • 自动ECC保障数据可靠性
  • 错误检测防止数据损坏
  • 均衡耐久延长器件寿命
  • 灵活保护关键数据
  • 宽电压温度范围运行

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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