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概述

包括绝缘体上硅 (SOI) 和结隔离 (JI) 产品。我们提供三相、半桥、高边和低边、单通道高边栅极驱动 IC 和支持电流检测支持 IC，专为 500 V - 700 V 的大型家用电器、工业驱动器、住宅空调或通用电机控制和逆变器量身定制。

主要特性
  • 低静态电流
  • 集成自举二极管
  • 至+700 V OFFSET电压
  • 标准引脚布局和封装
应用
马达控制
家用电器
智能电磁炉–精确高效的加热控制

产品

关于

500 V - 650 V 电平移位栅极驱动器概述

我们提供业界领先的电平转换栅极驱动 IC 产品组合，用于需要功能性隔离的 500V 至 700V 应用。

这些驱动器有各种三相、半桥或高端和低端配置，具有快速准确的过流保护 (OCP)、欠压锁定 (UVLO)、交叉传导预防逻辑、状态指示器（如故障、启用和关断）等保护功能。所有器件均采用行业标准的封装样式和外形尺寸。

500 V - 650 V 栅极驱动器可采用我们的电平移位结隔离技术或独特的绝缘体上硅 (SOI) 技术。

EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 应用

500 V - 650 V 栅极驱动器 IC 可在各种电力电子应用中切换 IGBT、增强型 N 沟道 MOSFET，例如：

  • 电机驱动器、具有 TRENCHSTOP ™ IGBT6 或 600 V EasyPACK ™模块的通用逆变器
  • 制冷压缩机、电磁炉、其他具有 RCD 系列 IGBT 或 TRENCHSTOP ™系列 IGBT 或其等效功率级的大型家用电器
  • 使用低压OptiMOS™ MOSFET 或其等效功率级的电池供电小型家用电器，例如电动工具、吸尘器
  • 工业 SMPS 离线 AC-DC 电源中的图腾柱、半桥和全桥转换器，具有高压CoolMOS™超结 MOSFET 或 TRENCHSTOP ™ H3 和 WR5 IGBT 系列
  • 具有CoolMOS™超级结 MOSFET 的高功率 LED 和 HID 照明
  • 电动汽车（EV）充电站和电池管理系统
  • 在上述应用中驱动 650 V SiC MOSFET
  • 与典型的结隔离器件相比，英飞凌基于 SOI 技术的解决方案，其电平转换损耗降低了 50%，因此还可支持开关频率超过 100 kHz 的高频应用。
EiceDRIVER™ 平移绝缘体上硅 (SOI) 技术

我们的绝缘体上硅（SOI）技术是一种高电压电平转换技术，具有同类优异的独特优势，包括集成自举二极管（BSD）和业界优秀的稳健性，可抵御负瞬态电压尖峰。每个晶体管都由内部的二氧化硅隔离，从而消除了导致锁存的寄生双极晶体管。该技术还能降低电平转换功率损耗，从而最大限度地降低器件开关功耗。这种先进的工艺可实现单片式高压和低压电路结构，并具有更多技术优势。

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EiceDRIVER ™ 平移结点隔离 (JI) 技术

p-n 结隔离 (JI) 技术是一种成熟的、久经考验的行业标准 MOS/CMOS 制造工艺。我们专有的高压集成电路 (HVIC) 和防闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。先进的工艺可实现单片式高压和低压电路结构，具有最佳性价比。 

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500 V - 650 V 电平移位栅极驱动器概述

我们提供业界领先的电平转换栅极驱动 IC 产品组合，用于需要功能性隔离的 500V 至 700V 应用。

这些驱动器有各种三相、半桥或高端和低端配置，具有快速准确的过流保护 (OCP)、欠压锁定 (UVLO)、交叉传导预防逻辑、状态指示器（如故障、启用和关断）等保护功能。所有器件均采用行业标准的封装样式和外形尺寸。

500 V - 650 V 栅极驱动器可采用我们的电平移位结隔离技术或独特的绝缘体上硅 (SOI) 技术。

EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 应用

500 V - 650 V 栅极驱动器 IC 可在各种电力电子应用中切换 IGBT、增强型 N 沟道 MOSFET，例如：

  • 电机驱动器、具有 TRENCHSTOP ™ IGBT6 或 600 V EasyPACK ™模块的通用逆变器
  • 制冷压缩机、电磁炉、其他具有 RCD 系列 IGBT 或 TRENCHSTOP ™系列 IGBT 或其等效功率级的大型家用电器
  • 使用低压OptiMOS™ MOSFET 或其等效功率级的电池供电小型家用电器，例如电动工具、吸尘器
  • 工业 SMPS 离线 AC-DC 电源中的图腾柱、半桥和全桥转换器，具有高压CoolMOS™超结 MOSFET 或 TRENCHSTOP ™ H3 和 WR5 IGBT 系列
  • 具有CoolMOS™超级结 MOSFET 的高功率 LED 和 HID 照明
  • 电动汽车（EV）充电站和电池管理系统
  • 在上述应用中驱动 650 V SiC MOSFET
  • 与典型的结隔离器件相比，英飞凌基于 SOI 技术的解决方案，其电平转换损耗降低了 50%，因此还可支持开关频率超过 100 kHz 的高频应用。

EiceDRIVER™ 平移绝缘体上硅 (SOI) 技术

我们的绝缘体上硅（SOI）技术是一种高电压电平转换技术，具有同类优异的独特优势，包括集成自举二极管（BSD）和业界优秀的稳健性，可抵御负瞬态电压尖峰。每个晶体管都由内部的二氧化硅隔离，从而消除了导致锁存的寄生双极晶体管。该技术还能降低电平转换功率损耗，从而最大限度地降低器件开关功耗。这种先进的工艺可实现单片式高压和低压电路结构，并具有更多技术优势。

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EiceDRIVER ™ 平移结点隔离 (JI) 技术

p-n 结隔离 (JI) 技术是一种成熟的、久经考验的行业标准 MOS/CMOS 制造工艺。我们专有的高压集成电路 (HVIC) 和防闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。先进的工艺可实现单片式高压和低压电路结构，具有最佳性价比。 

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文档

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新闻与亮点

EiceDRIVER™ 2EDL 驱动器 IC 系列

EiceDRIVER™ 2EDL 600 V 半桥栅极驱动器 IC 系列基于电平转换器 SOI（绝缘体上硅）技术，集成了低欧姆超快速自举二极管，支持更高的效率和更小的尺寸。

英飞凌SOI栅极驱动器技术的优势

来自市场领导者的 1200 V 绝缘体上硅电平移位栅极驱动器。该视频演示了采用英飞凌 SOI 产品的优势。例如集成自举二极管，低电平转换损耗 - 节省空间和成本。

英飞凌栅极驱动器简介

什么是栅极驱动器？为什么要使用栅极驱动器？如何使用栅极驱动器？观看我们的介绍视频并成为栅极驱动器专家。