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关于

专为氮化镓 HEMT 技术而设计的 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC

GaN HEMT 是现代电力电子系统的一项关键技术，可提供高效率和高功率密度。英飞凌 CoolGaN™ HEMT系列和 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC，旨在为基于 GaN 的系统提供最佳性能，从而最大限度地减少研发工作和成本。英飞凌提供广泛的 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 产品，针对驱动 GaN GIT（栅极注入晶体管）和 SG（肖特基栅极）HEMT 进行了优化。

EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 产品组合

在量身定制的 EiceDRIVER™ 1EDx56x3 栅极驱动器 IC 中采用了创新的差分栅极驱动概念，以解决英飞凌 CoolGaN™ GIT 技术概念的具体问题。这些驱动器可确保高压氮化镓开关的稳定而高效运行，同时最大限度地减少研发工作、并缩短上市时间。 尽管如此，在许多应用中，当与 RC 电路耦合时，也可以使用具有合适的UVLO 保护的标准栅极驱动器 IC，以产生所需的较小稳态电流和开启/关断峰值电流。EiceDRIVER™ 2EDxx259 产品系列的双通道驱动器具有死区时间和击穿保护功能，可确保使用单个 IC 的半桥拓扑的安全运行。综上所述，EiceDRIVER™ 系列的单通道和双通道栅极驱动器 IC 是与英飞凌 CoolGaN™ GIT HEMT 和其他 650 V GaN HEMT 技术（如肖特基栅极、Cascode）相匹配的最佳选择，可在高性能电源转换应用中实现效率、功率密度和稳健性的最佳整合。

针对最高效率和最大功率密度设计进行了优化

高效率和高功率密度是现代电力电子系统的关键要求，这些系统由最先进的 GaN HEMT 支持。 合适的栅极驱动器 IC 可以帮助设计人员在基于 GaN 的系统中实现最佳性能，同时最大限度地减少研发工作和相关成本。除了高性能的 CoolGaN™ HEMT 系列外，英飞凌还提供广泛的 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 产品，这些 IC 针对驱动 CoolGaN™ SG HEMT 和 CoolGaN™ GIT HEMT 进行了优化，旨在为目标应用提供一流的系统解决方案。

专为最佳 CoolGaN™ SG 和 GIT HEMT 而设计的栅极驱动器 IC

这两种结构的一个关键区别是栅极金属化：GIT HEMT 使用欧姆栅极触点，SG HEMT 使用肖特基栅极触点。由于栅极和沟道之间的等效二极管具有自钳位特性，GIT 栅极是非绝缘的，因此具有很强的抗过压能力。肖特基栅极由背靠背二极管 “半隔离”，可防止大量电流流动，以模拟传统的 MOSFET 栅极。

专为氮化镓 HEMT 技术而设计的 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC

GaN HEMT 是现代电力电子系统的一项关键技术，可提供高效率和高功率密度。英飞凌 CoolGaN™ HEMT系列和 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC，旨在为基于 GaN 的系统提供最佳性能，从而最大限度地减少研发工作和成本。英飞凌提供广泛的 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 产品，针对驱动 GaN GIT（栅极注入晶体管）和 SG（肖特基栅极）HEMT 进行了优化。

EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 产品组合

在量身定制的 EiceDRIVER™ 1EDx56x3 栅极驱动器 IC 中采用了创新的差分栅极驱动概念，以解决英飞凌 CoolGaN™ GIT 技术概念的具体问题。这些驱动器可确保高压氮化镓开关的稳定而高效运行，同时最大限度地减少研发工作、并缩短上市时间。 尽管如此，在许多应用中，当与 RC 电路耦合时，也可以使用具有合适的UVLO 保护的标准栅极驱动器 IC，以产生所需的较小稳态电流和开启/关断峰值电流。EiceDRIVER™ 2EDxx259 产品系列的双通道驱动器具有死区时间和击穿保护功能，可确保使用单个 IC 的半桥拓扑的安全运行。综上所述，EiceDRIVER™ 系列的单通道和双通道栅极驱动器 IC 是与英飞凌 CoolGaN™ GIT HEMT 和其他 650 V GaN HEMT 技术（如肖特基栅极、Cascode）相匹配的最佳选择，可在高性能电源转换应用中实现效率、功率密度和稳健性的最佳整合。

针对最高效率和最大功率密度设计进行了优化

高效率和高功率密度是现代电力电子系统的关键要求，这些系统由最先进的 GaN HEMT 支持。 合适的栅极驱动器 IC 可以帮助设计人员在基于 GaN 的系统中实现最佳性能，同时最大限度地减少研发工作和相关成本。除了高性能的 CoolGaN™ HEMT 系列外，英飞凌还提供广泛的 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 产品，这些 IC 针对驱动 CoolGaN™ SG HEMT 和 CoolGaN™ GIT HEMT 进行了优化，旨在为目标应用提供一流的系统解决方案。

专为最佳 CoolGaN™ SG 和 GIT HEMT 而设计的栅极驱动器 IC

这两种结构的一个关键区别是栅极金属化：GIT HEMT 使用欧姆栅极触点，SG HEMT 使用肖特基栅极触点。由于栅极和沟道之间的等效二极管具有自钳位特性，GIT 栅极是非绝缘的，因此具有很强的抗过压能力。肖特基栅极由背靠背二极管 “半隔离”，可防止大量电流流动，以模拟传统的 MOSFET 栅极。

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