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概述

EiceDRIVER™ 2EDi 是双通道隔离式栅极驱动器 IC 产品系列，可在高性能CoolMOS™、CoolSiC™ 和 OptiMOS™ MOSFET 半桥中稳健地运行。这些产品用于初级和次级侧控制的硬开关和软开关拓扑结构。它们对于优化功率转换效率以及确保在标称和异常运行下实现稳健的开关模式电源运行至关重要。

主要特性
  • 快速电源切换
  • 5A/9A 拉电流和灌电流
  • 传播延迟典型值 38 ns
  • 针对区域和系统 BOM 进行了优化
  • 耐用 CMTI > 150 V/nS
  • 欠压锁定功能
  • 输出到输出通道隔离
  • 输入至输出通道隔离
应用
电信基础设施
数据中心和计算解决方案
电动工具
电动汽车充电
低压驱动
开关模式电源 (SMPS)
微型逆变器解决方案

产品

关于

快速可靠的双通道隔离式栅极驱动器：EiceDRIVER™ 2EDi

2EDi 是一系列双通道隔离栅极驱动器 IC，专为驱动 Si MOSFET、SiC MOSFET 和 GaN 功率开关而设计。这款产品采用了英飞凌的无芯变压器（CT）技术，实现了高效的隔离功能，具有稳健运行能力和行业基准共模抑制（CMTI）性。它具备高传播延迟精度和低信道间失配，因此非常适合用于快速开关电源系统的设计。 它还具备高 CMTI、高反向电流能力以及输出在 UVLO 以下的快速钳位，因此能够在应用中可靠地运行。

2EDi 系列的主要优势

2EDi 系列具有许多优点，其中包括高效率、降损失。其强劲的驱动可降低开关损耗并提供精确的时序、优化死区时间并同步驱动并行 MOSFET。此外，大部分驱动功率从外部消散，减少了驱动器的热负荷。这样就不需要在栅极驱动器输出端加上两个成本高昂的保护二极管，从而实现了用更小的封装提升了热性能。2EDi 系列的保护和安全运行功能得到了进一步增强，例如针对快速开关瞬态的可靠驱动器操作。另外，它还具备电平转换和抗地反弹等功能，满足法规安全的要求。

采用软开关和硬开关拓扑结构实现运行稳定

1 通道和 2 通道电气隔离 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 是实现最佳 CoolSiC™ MOSFET 650 V 操作的最佳选择。在 CCM 图腾柱PFC中使用时，功能隔离可提供所需的抗开关噪声的稳健性，而在次级侧控制的 LLC 级中，增强隔离是必不可少的。UVLO_off 阈值保证了在应用所需的电流水平下安全运行 CoolSiC™。业界领先的低输出级阻抗可最大限度地降低 CoolSiC™ 开关损耗。出色的 + 6/-4 ns 传播延迟精度可最大限度地减少死区时间损失。

快速可靠的双通道隔离式栅极驱动器：EiceDRIVER™ 2EDi

2EDi 是一系列双通道隔离栅极驱动器 IC，专为驱动 Si MOSFET、SiC MOSFET 和 GaN 功率开关而设计。这款产品采用了英飞凌的无芯变压器（CT）技术，实现了高效的隔离功能，具有稳健运行能力和行业基准共模抑制（CMTI）性。它具备高传播延迟精度和低信道间失配，因此非常适合用于快速开关电源系统的设计。 它还具备高 CMTI、高反向电流能力以及输出在 UVLO 以下的快速钳位，因此能够在应用中可靠地运行。

2EDi 系列的主要优势

2EDi 系列具有许多优点，其中包括高效率、降损失。其强劲的驱动可降低开关损耗并提供精确的时序、优化死区时间并同步驱动并行 MOSFET。此外，大部分驱动功率从外部消散，减少了驱动器的热负荷。这样就不需要在栅极驱动器输出端加上两个成本高昂的保护二极管，从而实现了用更小的封装提升了热性能。2EDi 系列的保护和安全运行功能得到了进一步增强，例如针对快速开关瞬态的可靠驱动器操作。另外，它还具备电平转换和抗地反弹等功能，满足法规安全的要求。

采用软开关和硬开关拓扑结构实现运行稳定

1 通道和 2 通道电气隔离 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 是实现最佳 CoolSiC™ MOSFET 650 V 操作的最佳选择。在 CCM 图腾柱PFC中使用时，功能隔离可提供所需的抗开关噪声的稳健性，而在次级侧控制的 LLC 级中，增强隔离是必不可少的。UVLO_off 阈值保证了在应用所需的电流水平下安全运行 CoolSiC™。业界领先的低输出级阻抗可最大限度地降低 CoolSiC™ 开关损耗。出色的 + 6/-4 ns 传播延迟精度可最大限度地减少死区时间损失。

文档

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