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概述

我们提供三相栅极驱动器，在同一封装内以三个独立的半桥形式的配置实现六通道驱动。我们的三相栅极驱动器采用先进的英飞凌绝缘体上硅(SOI) 技术。这些栅极驱动器具有出色的鲁棒性和抗噪能力，非常适合电机驱动、家用电器和电池供电等应用。还提供符合汽车标准的三相栅极驱动器。

主要特性
  • 极佳的耐用性
  • 抗噪性
  • 绝缘体上硅技术
  • 卓越的可靠性

产品

关于

三相驱动器简介

英飞凌和国际整流器公司凭借数十年的应用专长和技术开发，推出了一系列栅极驱动器集成电路，可用于硅和宽禁带功率器件，如 MOSFET、分立式 IGBT、IGBT 模块、SiC MOSFET 和 GaN HEMT。我们提供卓越的产品系列，包括电隔离栅极驱动器、汽车级栅极驱动器、200 V、500-700 V、1200 V 电平转换栅极驱动器和非隔离低边驱动器。

我们的产品组合涵盖各种配置、电压等级、隔离级别、保护功能和封装选项。最先进的分立开关系列需要调整栅极驱动电路，以充分利用其容量和功能。最佳的栅极驱动配置对于所有电源开关都至关重要，无论它们是分立式开关还是电源模块。

关于三相驱动器的详细信息

我们尖端的三相栅极驱动器解决方案是驱动 MOSFET 和 IGBT 等功率器件的最佳选择。我们的栅极驱动器的核心是创新的绝缘体上硅 (SOI) 技术，该技术经过精心打造，具有卓越的坚固性和抗噪能力。即使在最具挑战性的环境中，我们的栅极驱动器也能发挥最佳性能，提供无与伦比的可靠性和效率。

关于三相驱动器的其他信息

我们提供全面的栅极驱动器产品系列。我们的栅极驱动器经过精心设计，可轻松满足您的特定应用要求。我们的栅极驱动器具有多种电压等级，包括 200 V、500-700 V 和 1200 V，使您能够根据自己的电源需求量身定制完美的解决方案。我们的专家团队花费了数十年的时间来完善硅和宽禁带功率器件的栅极驱动电路。因此，我们的栅极驱动器能够充分发挥这些先进开关系列的潜力，使功率电子器件能达到最高的效率和性能。

三相驱动器简介

英飞凌和国际整流器公司凭借数十年的应用专长和技术开发，推出了一系列栅极驱动器集成电路，可用于硅和宽禁带功率器件，如 MOSFET、分立式 IGBT、IGBT 模块、SiC MOSFET 和 GaN HEMT。我们提供卓越的产品系列，包括电隔离栅极驱动器、汽车级栅极驱动器、200 V、500-700 V、1200 V 电平转换栅极驱动器和非隔离低边驱动器。

我们的产品组合涵盖各种配置、电压等级、隔离级别、保护功能和封装选项。最先进的分立开关系列需要调整栅极驱动电路，以充分利用其容量和功能。最佳的栅极驱动配置对于所有电源开关都至关重要，无论它们是分立式开关还是电源模块。

关于三相驱动器的详细信息

我们尖端的三相栅极驱动器解决方案是驱动 MOSFET 和 IGBT 等功率器件的最佳选择。我们的栅极驱动器的核心是创新的绝缘体上硅 (SOI) 技术，该技术经过精心打造，具有卓越的坚固性和抗噪能力。即使在最具挑战性的环境中，我们的栅极驱动器也能发挥最佳性能，提供无与伦比的可靠性和效率。

关于三相驱动器的其他信息

我们提供全面的栅极驱动器产品系列。我们的栅极驱动器经过精心设计，可轻松满足您的特定应用要求。我们的栅极驱动器具有多种电压等级，包括 200 V、500-700 V 和 1200 V，使您能够根据自己的电源需求量身定制完美的解决方案。我们的专家团队花费了数十年的时间来完善硅和宽禁带功率器件的栅极驱动电路。因此，我们的栅极驱动器能够充分发挥这些先进开关系列的潜力，使功率电子器件能达到最高的效率和性能。

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新闻与亮点

无标题项目

英飞凌提供了一种便捷的解决方案，以取代桶型连接器，转而采用无处不在且即将推出的标准 USB-C。英飞凌 EZ-PD ™ BCR 系列的设计特点可满足现有和未来电子设备的设计需求。为了便于实施和获得广泛的支持，英飞凌是最佳选择。

栅极驱动器解决方案 - 为什么英飞凌是最佳合作伙伴

本次培训深入了解了宽带隙器件的系统优势，这将在功率密度、效率和/或电池续航里程具有决定性作用的领域赢得市场份额。培训重点关注移动充电器和车载充电器两种应用，并将讨论当今解决方案面临的挑战以及 SiC 和 GaN 如何提供更高水平的性能。

英飞凌SOI栅极驱动器技术的优势

来自市场领导者的 1200 V 绝缘体上硅电平移位栅极驱动器。该视频演示了采用英飞凌 SOI 产品的优势。例如集成自举二极管，低电平转换损耗 - 节省空间和成本。

英飞凌栅极驱动器简介

什么是栅极驱动器？为什么要使用栅极驱动器？如何使用栅极驱动器？观看我们的介绍视频并成为栅极驱动器专家。