1200 V碳化硅MOSFET

1200 V CoolSiC™ MOSFET 具有不同的型号，导通电阻额定值从 7 mΩ 到 1.44 mΩ。

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概述

英飞凌 1200 V CoolSiC™碳化硅 MOSFET 分立器件和模块专为光伏、储能、电动汽车充电、UPS、工业驱动等应用而开发。 这些产品能够加速系统设计，从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。

关键特性

  • 导通电阻额定值高达 1.44 mΩ
  • 降低开关 & 通态损耗
  • 宽栅源电压范围
  • 最高 Tvjop 为 175°C
  • 阈值电压Vth > 4 V

产品

关于

1200 V CoolSiC™ MOSFET

英飞凌的 1200V CoolSiC™模块和分立器件是一种旨在彻底改变电力电子行业的尖端技术。 这些创新产品以碳化硅 (SiC) 为基础，这种材料与传统的硅 (Si) 设备相比具有更优异的性能和效率。1200V CoolSiC™产品组合专为满足对高功率、高效率和紧凑型电源转换系统日益增长的需求而设计。

英飞凌 1200V CoolSiC™模块和分立器件的主要优势之一是它们能够在更高的电压和温度范围内工作，使其成为快速切换应用的理想选择，例如电动汽车充电基础设施、光伏、储能以及 UPS 和 SSB，这些应用受到人工智能日益增长的需求的推动。 此外，它们非常适合汽车行业的电源（OBC、加热器、压缩机……）。SiC技术使这些器件能够实现更高的开关频率、降低损耗、提高热性能，从而提高系统效率、可靠性并改善系统成本。

分离式CoolSiC™ MOSFET

CoolSiC™ MOSFET 分立器件经过专门设计，可在电力电子应用中提供卓越的效率和可靠性。 这些器件的电压范围为 400 V 至 2000 V，导通电阻值为 7mΩ 至 1000mΩ。它们针对硬开关和谐振开关拓扑进行了优化，例如功率因数校正电路、DC-DC 转换器和 DC-AC 逆变器。集成的快速续流二极管无需额外的二极管芯片即可实现硬开关，从而简化了电路设计。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET 分立器件降低了系统复杂性，提高了功率密度并实现了最高效率，从而减少了冷却工作量。

有关分立外壳 CoolSiC MOSFET 的更多信息

CoolSiC™ MOSFET 模块

CoolSiC™ MOSFET 模块允许高工作温度和开关频率，从而提高整体系统效率。 这些模块具有多种配置，包括 3 级、半桥、四组、六组和升压拓扑，电压为 1200 V、2000 V 和 3300 V。

还可以订购预涂热界面材料 (TIM) 等附加选件。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET 模块基于沟槽技术，具有卓越的栅极氧化物可靠性以及一流的开关和传导损耗。

有关模块外壳中的CoolSiC™ MOSFET 的更多信息

第 2 代 CoolSiC™ MOSFET

了解新型 CoolSiC™ MOSFET G2 沟槽 MOSFET 如何将 SiC 性能提升到一个新水平，同时满足所有常见电源方案组合的最高质量标准： AC-DC、DC-DC 和 DC-AC。在光伏逆变器、储能系统、电动汽车充电、电源、电机驱动等众多应用中，SiC MOSFET 都能提供比 Si 替代品更高的性能。

有关第二代CoolSiC™ MOSFET 的更多信息

汽车 CoolSiC™ MOSFET模块

我们为混合动力汽车和电动汽车应用提供各种 CoolSiC™ MOSFET 汽车电源模块：牵引逆变器（将高压电池的直流电转换为交流电，供电动马达使用）、车载电池充电器、辅助逆变器、高压/低压直流-直流转换器以及燃料电池电动汽车 (FCEV) 的特定应用，如燃料电池空气压缩机和直流-直流升压转换器。

有关汽车级CoolSiC™模块的更多信息

1200 V CoolSiC™ MOSFET

英飞凌的 1200V CoolSiC™模块和分立器件是一种旨在彻底改变电力电子行业的尖端技术。 这些创新产品以碳化硅 (SiC) 为基础，这种材料与传统的硅 (Si) 设备相比具有更优异的性能和效率。1200V CoolSiC™产品组合专为满足对高功率、高效率和紧凑型电源转换系统日益增长的需求而设计。

英飞凌 1200V CoolSiC™模块和分立器件的主要优势之一是它们能够在更高的电压和温度范围内工作，使其成为快速切换应用的理想选择，例如电动汽车充电基础设施、光伏、储能以及 UPS 和 SSB，这些应用受到人工智能日益增长的需求的推动。 此外，它们非常适合汽车行业的电源（OBC、加热器、压缩机……）。SiC技术使这些器件能够实现更高的开关频率、降低损耗、提高热性能，从而提高系统效率、可靠性并改善系统成本。

分离式CoolSiC™ MOSFET

CoolSiC™ MOSFET 分立器件经过专门设计，可在电力电子应用中提供卓越的效率和可靠性。 这些器件的电压范围为 400 V 至 2000 V，导通电阻值为 7mΩ 至 1000mΩ。它们针对硬开关和谐振开关拓扑进行了优化，例如功率因数校正电路、DC-DC 转换器和 DC-AC 逆变器。集成的快速续流二极管无需额外的二极管芯片即可实现硬开关，从而简化了电路设计。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET 分立器件降低了系统复杂性，提高了功率密度并实现了最高效率，从而减少了冷却工作量。

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CoolSiC™ MOSFET 模块

CoolSiC™ MOSFET 模块允许高工作温度和开关频率，从而提高整体系统效率。 这些模块具有多种配置，包括 3 级、半桥、四组、六组和升压拓扑，电压为 1200 V、2000 V 和 3300 V。

还可以订购预涂热界面材料 (TIM) 等附加选件。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET 模块基于沟槽技术，具有卓越的栅极氧化物可靠性以及一流的开关和传导损耗。

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第 2 代 CoolSiC™ MOSFET

了解新型 CoolSiC™ MOSFET G2 沟槽 MOSFET 如何将 SiC 性能提升到一个新水平，同时满足所有常见电源方案组合的最高质量标准： AC-DC、DC-DC 和 DC-AC。在光伏逆变器、储能系统、电动汽车充电、电源、电机驱动等众多应用中，SiC MOSFET 都能提供比 Si 替代品更高的性能。

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汽车 CoolSiC™ MOSFET模块

我们为混合动力汽车和电动汽车应用提供各种 CoolSiC™ MOSFET 汽车电源模块：牵引逆变器（将高压电池的直流电转换为交流电，供电动马达使用）、车载电池充电器、辅助逆变器、高压/低压直流-直流转换器以及燃料电池电动汽车 (FCEV) 的特定应用，如燃料电池空气压缩机和直流-直流升压转换器。

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