EVAL-1ED3121MX12H
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EVAL-1ED3121MX12H

1ED3121MX12H 评估板 - 2300 V、5.5 A、5.7 kV (rms) 单通道隔离栅极驱动器
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EVAL-1ED3121MX12H
EVAL-1ED3121MX12H
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  • 主板类型
    Evaluation Board
  • 产品名称
    EVAL-1ED3121MX12H
  • 供电电压 范围
    15.5 V 至 16.5 V
  • 供电电压
    16 V
  • 子应用程序
    Server, Telecommunication
  • 拓扑结构
    Half Bridge
  • 目标应用程序
    Solar Energy Systems, EV Charger, Industrial Drives, Induction Heating, Power Supplies, Commercial Air Conditioning
  • 系列
    Gate Driver, CoolSiC™ MOSFET, IGBT Discrete
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入类型
    DC
推荐的
OPN
EVAL1ED3121MX12HTOBO1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 --
封装名 N/A
封装尺寸 1
封装类型 CONTAINER
湿度 N/A
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称 --
封装名 -
封装尺寸 1
封装类型 CONTAINER
湿度 -
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EVAL-1ED3121MX12H 采用半桥配置，带有用于 IGBT 和 SiC MOSFET 的 1ED3121MU12H 栅极驱动器 IC。它包括 TRENCHSTOP ™ IGBT IKQ75N120CH3 和用于隔离过流反馈的附加栅极驱动器 IC。1ED3121MU12H 非常适合双脉冲测试，可在宽电源电压范围内提供独立的灌电流和源电流输出、稳定的时序、主动关断和短路钳位。

特性

  • 单通道隔离栅极驱动器
  • 适用于 < 2300 V IGBT、SiC 和 Si MOSFET
  • 2300 V 功能。失调电压能够
  • 电气隔离
  • 5.5典型的接收器和源峰值输出。
  • 绝对最大值 40 V。输出电压
  • 90 ns 传播延迟
  • 高 CMTI >200 kV/μs
  • 独立的源极和漏极输出
  • 短路钳位
  • DSO-8 300 mil 宽体封装
  • 10.5V/12.5V UVLO 保护

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