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符合RoHS标准

KIT_1EDB_AUX_GAN

双隔离电感驱动器IC，具有可配置浮动单极或极辅助电源，适用于GaN HEMT
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KIT_1EDB_AUX_GAN
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应用笔记

商品详情

  • Pout
    0.07 W to 1 W
  • 供电电压
    11.4 V to 12 V
  • 子应用程序
    Industrial
  • 安装
    Direct soldering into an 8-pin footprint or plug-in via 1.27mm pitch connector
  • 尺寸
    8,47mm x 17,55mm x 2,8mm
  • 拓扑结构
    Use-case is to drive GaN with isolated unipolar or bipolar driving
  • 接口
    Pads with 1.27mm pitch
  • 目标应用程序
    Industrial power supplies (SMPS, Residential UPS), Solar micro inverter, EV Off-board chargers, Server and Telecom switch-mode power supplies (SMPS)
  • 系列
    Gate Driver
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入类型
    DC
  • 输出电压
    9 V to 11.5 V
  • 输出电流
    6 mA to 110 mA
  • 频率
    700 kHz to 1400 kHz
推荐的
OPN
KIT1EDBAUXGANTOBO1
产品状态 active
英飞凌封装名称 --
封装名 N/A
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 N/A
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称 --
封装名 -
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 -
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
KIT_1EDB_AUX_GaN 是 GaN HEMT 的完整驱动解决方案，包括隔离线圈驱动器 IC 浮动辅助电源。隔离辅助电源可支持单极或双极驱动，典型电平可通过一个电阻器轻松配置。可根据要求提供 KIT_1EDB_AUX_GaN。请联系我们的支持人员。

特性

  • 高达 1.5 W 的输出功率，可满足不同 GaN 和开关频率的使用场景
  • 针对 GaN HEMT 典型的双极驱动水平进行了优化
  • 适用于 GaN HEMT 的高 CMTI 隔离驱动解决方案

产品优势

  • 兼容的封装可轻松插入现有电路板，包括单通道隔离电感驱动器
  • 完整封装且成本优化的驱动解决方案
  • 可通过一个电阻轻松配置驱动级别

应用

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文档

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设计资源

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