KIT_HB_GAN_BT_RC_PFN_A
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KIT_HB_GAN_BT_RC_PFN_A

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半桥子板，采用 DFN8x8 封装的CoolGaN™晶体管 650 V G5 和双通道自举驱动 IC
User manual
评估板

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KIT_HB_GAN_BT_RC_PFN_A
KIT_HB_GAN_BT_RC_PFN_A
User manual
  • 最高 输入信号电压
    650 V
  • 最高 输出电流
    18 A
推荐的
OPN
KITHBGANBTRCPFNATOBO1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 L
封装名 N/A
封装尺寸 1
封装类型 CONTAINER
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称 L
封装名 -
封装尺寸 1
封装类型 CONTAINER
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
KIT_HB_GaN_BT_RC_PFN_A 是半桥电路子板，特点是采用 DFN8x8 封装的CoolGaN™晶体管 650 V G5，以及双通道自举栅极驱动器 IC ( EiceDRIVER™ 2EDB7259Y )。该板允许使用双极性电流源电压（RC接口电路）驱动CoolGaN™ 。

特性

  • 带RC电路的通用平台
  • 结构紧凑的优化和解决方案
  • 高功率和高开关频率应用
  • 简易即插即用解决方案

产品优势

  • 可通过跳线配置
  • PCB布局影响极小
  • 轻松更换栅极驱动器

应用

Bill of Material

文档

设计资源

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