现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

1ED3250MC12H

10 A、5.7 kV（均方根值）单通道隔离栅极驱动器，具有两级压摆率控制和有源米勒钳位，已通过 UL 1577 和 VDE 0884-11 认证
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封装
评估板
每件.
有存货

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1ED3250MC12H
1ED3250MC12H
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商品详情

  • Iq1 max
    1.4 mA
  • Iq2 max
    2.3 mA
  • PDout
    625 mW
  • RDSON_H(typ)
    0.46 Ω
  • RDSON_L(typ)
    0.37 Ω
  • RDSON_L (max)
    0.65 Ω
  • RthJA
    104 K/W
  • VBS UVLO (On)
    12.5 V
  • VBS UVLO (Off)
    10.4 V
  • VCC UVLO (On)
    3.1 V
  • VCC UVLO (Off)
    2.5 V
  • Turn Off Propagation Delay
    110 ns
  • RDSON_H(max)
    0.74 Ω
  • Package
    PG-DSO-8
  • Turn On Propagation Delay
    110 ns
  • Voltage Class
    2300 V
  • Qualification
    Industrial
  • Input Vcc
    3.1 V to 17 V
  • Output Current (Source)
    5 A
  • Output Current (Sink)
    10 A
  • Channels
    1
  • Configuration
    High-side
  • Isolation Type
    Galvanic isolation - Reinforced
受到推崇的
OPN
1ED3250MC12HXUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 N/A
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 -
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
EiceDRIVER ™紧凑型单通道隔离栅极驱动器，具有两级压摆率控制、有源米勒钳位和 10 A 典型灌电流和拉电流峰值输出电流，采用 DSO-8 宽体封装，具有较大的爬电距离，适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。 它提供两个独立的输出，具有 10A 的典型峰值输出电流，以控制两个独立的栅极电阻的导通，从而实现两级压摆率控制。

特性

  • 单通道隔离栅极驱动器
  • 2 级压摆率控制 (2L-SRC)
  • 适用于高达 2300 V 的 Si 和 SiC 开关
  • 2300 V 功能。失调电压有能力的
  • Galv。隔离无芯变压器
  • 10 A 典型吸收和源峰值输出
  • 40 V 绝对最大值。输出电压
  • 最大。110 ns 传播延迟
  • 高 CMTI >200 kV/μs
  • 有源米勒钳位
  • 短路钳位
  • DSO-8 300 mil 宽体封装

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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