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符合RoHS标准
无铅

1ED3491MU12M

5.7 kV、9 A 单通道灵活隔离栅极驱动器，具有有源米勒钳位、可调 DESAT 和软关断。UL1577 认证
数据手册
封装
评估板
每件.
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1ED3491MU12M
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商品详情

  • Iq1 max
    4 mA
  • Iq2 max
    5 mA
  • PD输出
    700 mW
  • RDSON_H（典型值）
    0.38 Ω
  • RDSON_L（典型值）
    0.28 Ω
  • RDSON_L（最大值）
    0.55 Ω
  • RthJA
    122 K/W
  • VBS UVLO (On)
    12 V
  • VBS UVLO (Off)
    11 V
  • VCC UVLO (On)
    2.95 V
  • VCC UVLO (Off)
    2.8 V
  • 关断传播延迟
    236 ns
  • 导通电阻 (RDSON_H)（最大值）
    0.75 Ω
  • 封装
    PG-DSO-16-33
  • 开通传播延迟
    244 ns
  • 电压等级
    2300 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入Vcc
    3 V to 6.5 V
  • 输出电流 (Source)
    11 A
  • 输出电流 (Sink)
    7.5 A
  • 通道数
    1
  • 配置
    High-side
  • 隔离类型
    Galvanic isolation - Functional
推荐的
OPN
1ED3491MU12MXUMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 N/A
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 -
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
EiceDRIVER ™增强型单通道高灵活性隔离栅极驱动器，具有 ±9A 典型吸收和源峰值输出电流，采用节省空间的小型 DSO-16 细间距宽体封装，具有较大的爬电距离，适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。 它属于 EiceDRIVER ™增强型 X3 模拟系列，具有 DESAT 和软关断、通过输入侧的外部电阻、单独输出和其他功能的高度可配置性。

特性

  • 单通道隔离栅极驱动器
  • 适用于高达 2300 V 的 Si 和 SiC 开关
  • 2300 V 功能。失调电压能够
  • ±9 A 典型值吸收和源峰值输出
  • 40 V 绝对最大值。输出电压
  • 独立的源输出和吸输出
  • 有源米勒钳位
  • 精确的 VCEsat 检测 (DESAT)
  • IGBT 软关断
  • 参数调整。从输入侧
  • 可调 DESAT 滤波时间
  • 可调软关断电流水平

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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