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符合RoHS标准
无铅

1EDF5673F

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GaN EiceDRIVER ™栅极驱动器 IC 具有出色的稳健性和效率，非常适合驱动氮化镓 (GaN) HEMT
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1EDF5673F
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商品详情

  • VBS UVLO (On)
    5.8 V
  • VBS UVLO (Off)
    5.2 V
  • VCC UVLO (On)
    2.85 V
  • VCC UVLO (Off)
    2.7 V
  • 关断传播延迟
    41 ns
  • 封装
    PG-DSO-16-11
  • 开通传播延迟
    37 ns
  • 电压等级
    650 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入Vcc min
    3 V
  • 输出电流 (Source)
    4 A
  • 输出电流 (Sink)
    8 A
  • 通道数
    1
  • 配置
    High-side
  • 隔离类型
    Galvanic isolation - Functional
OPN
1EDF5673FXUMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 N/A
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 -
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
单通道电气隔离栅极驱动器 IC 1EDF5673F 非常适合具有非隔离栅极（二极管输入特性）和低阈值电压的增强模式 (e-mode) 氮化镓 (GaN) HEMT，例如 CoolGaN ™ 。它们可以确保高压氮化镓的稳健并高效地开关运行，同时最大限度地减少研发工作、并缩短上市时间。

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