1EDI20H12AH
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

1EDI20H12AH

1200 V 单高侧栅极驱动器 IC，具有电流隔离、短路钳位和独立的漏极/源极输出
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1EDI20H12AH
1EDI20H12AH
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数据手册

  • PD输出
    400 mW
  • RDSON_H（典型值）
    2.25 Ω
  • RDSON_L（典型值）
    2.25 Ω
  • RDSON_L（最大值）
    5 Ω
  • RthJA
    165 K/W
  • VBS UVLO (Off)
    11.1 V
  • VBS UVLO (On)
    12 V
  • VCC UVLO (Off)
    2.75 V
  • VCC UVLO (On)
    2.85 V
  • 关断传播延迟
    125 ns
  • 导通电阻 (RDSON_H)（最大值）
    4.3 Ω
  • 开通传播延迟
    120 ns
  • 拓扑结构
    High-side
  • 电压等级
    1200 V
  • 质量等级
    Industrial
  • 输入Vcc 范围
    3.1 V 至 17 V
  • 输出电流 (Source)
    4 A
  • 输出电流 (Sink)
    3.5 A
  • 通道
    1
  • 隔离类型
    Galvanic isolation - Functional

OPN
1EDI20H12AHXUMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 N/A
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
ID
晶圆产地
DE
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产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 -
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
ID
晶圆产地
DE
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EiceDRIVER ™ 1200 V 高压侧栅极驱动器 IC，具有典型的 4.0 A 拉电流和 3.5 A 灌电流，采用宽体 DSO-8 封装，并采用适用于 IGBT 模块的 CT 技术。如需更高的隔离额定值、更高的电流、更短的传播延迟，请查看我们新发布的 X3 Compact 系列 1ED3120MU12H。性价比极高的DSO-8 150mil窄体版本也已上市：1EDI20N12AF

特性

  • 隔离式无芯变压器
  • 2 A 轨至轨输出
  • 300 mil 宽体封装
  • 8 mm 爬电距离封装
  • 独立的源/吸输出
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