现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

1EDN7116U

适用于 GaN SG HEMT 和 MOSFET 的 200 V 高侧 TDI 栅极驱动器 IC
数据手册
封装
评估板

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1EDN7116U
1EDN7116U
数据手册

商品详情

  • VCC UVLO
    3.75 V
  • Turn Off Propagation Delay
    55 ns
  • Package
    PG-TSNP-7
  • Turn On Propagation Delay
    55 ns
  • Voltage Class
    200 V
  • Qualification
    Industrial
  • Input Vcc
    4.2 V to 11 V
  • Output Current (Source)
    2 A
  • Output Current (Sink)
    2 A
  • Output Current
    2 A
  • Channels
    1
  • Configuration
    High-side
受到推崇的
OPN
1EDN7116UXTSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSNP-7
封装名 N/A
包装尺寸 4500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSNP-7
封装名 -
包装尺寸 4500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
1EDN71x6Gx 是单通道栅极驱动芯片系列，针对英飞凌  CoolGaN™  SG HEMT 以及其他 GaN SG HEMT 和硅 MOSFET 进行了优化。 该栅极驱动器包含几个关键特性，可通过快速开关晶体管实现高性能系统设计，包括真正差分输入 (TDI)、2 A 峰值源电流和灌电流、有源米勒钳位和自举电压钳位。

特性

  • 全差分逻辑输入电路，可避免低侧或高侧操作中的误触发
  • 高共模输入电压范围 (CMR)，高侧操作时高达 ± 200 V
  • 高共模压摆率 (100 V/ns) 抗扰度，可在快速开关瞬变期间实现稳健运行
  • 兼容 3.3 V 或 5 V 输入逻辑
  • 2 A 拉/灌电流能力
  • 有源米勒钳位，具有 5 A 灌电流能力，可避免感应导通
  • 有源自举钳位
  • 适用于驱动 GaN HEMT 或 Si MOSFET
  • 已根据 JEDEC 目标应用认证

产品优势

  • 快速开关转换期间的高端驱动和低端接地反弹抗扰度
  • 通过选择 1EDN71x6x 系列驱动器，无需外部栅极电阻即可优化开关速度
  • 快速开关转换期间的感应导通抗扰度
  • 通过消除死区时间内自举电容的过度充电，实现稳定的自举电压

文档

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设计资源

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