2ED020I12-F2
在产
符合RoHS标准
无铅

2ED020I12-F2

具有电流隔离、DESAT 和短路钳位功能的 1200 V 双高侧栅极驱动器 IC
数据手册
评估板

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2ED020I12-F2
2ED020I12-F2
数据手册
  • PD输出
    400 mW
  • RDSON_H（典型值）
    10 Ω
  • RDSON_L（典型值）
    1.5 Ω
  • RDSON_L（最大值）
    4.25 Ω
  • RthJA
    110 K/W
  • VBS UVLO (Off)
    11 V
  • VBS UVLO (On)
    12 V
  • VCC UVLO (Off)
    3.8 V
  • VCC UVLO (On)
    4.1 V
  • 关断传播延迟
    165 ns
  • 导通电阻 (RDSON_H)（最大值）
    12.5 Ω
  • 开通传播延迟
    170 ns
  • 电压等级
    1200 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入Vcc 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 输出电流 (Source)
    2 A
  • 输出电流 (Sink)
    2 A
  • 通道数
    2
  • 配置
    High-side, Half-Bridge
  • 隔离类型
    Galvanic isolation - Functional
推荐的
OPN
2ED020I12F2XUMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称 PG-DSO-36
封装名 N/A
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称 PG-DSO-36
封装名 -
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EiceDRIVER ™ 1200 V 双高侧栅极驱动器 IC，具有典型的 2 A 拉电流和 2 A 灌电流输出，采用功能性电气隔离的 PG-DSO-36 封装，适用于 IGBT 和 SiC MOSFET。

特性

  • 无芯变压器隔离。驱动器
  • 2 A 轨到轨输出
  • 保护功能
  • VCEsat 检测
  • 有源米勒钳位

产品优势

  • 节省空间的封装
  • 提高能源效率

图表

Circuit_diagram_2ED020I12-F2
Circuit_diagram_2ED020I12-F2
Circuit_diagram_2ED020I12-F2 Circuit_diagram_2ED020I12-F2 Circuit_diagram_2ED020I12-F2
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