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符合RoHS标准
无铅

2ED020I12-F2

具有电流隔离、DESAT 和短路钳位功能的 1200 V 双高侧栅极驱动器 IC
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2ED020I12-F2
2ED020I12-F2
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商品详情

  • Iq1 max
    4.5 mA
  • Iq2 max
    3 mA
  • PDout
    400 mW
  • RDSON_H(typ)
    10 Ω
  • RDSON_L(typ)
    1.5 Ω
  • RDSON_L (max)
    4.25 Ω
  • RthJA
    110 K/W
  • VBS UVLO (Off)
    11 V
  • VBS UVLO (On)
    12 V
  • VCC UVLO (Off)
    3.8 V
  • VCC UVLO (On)
    4.1 V
  • Turn Off Propagation Delay
    165 ns
  • RDSON_H(max)
    12.5 Ω
  • Turn On Propagation Delay
    170 ns
  • Voltage Class
    1200 V
  • Qualification
    Industrial
  • Input Vcc
    4.5 V to 5.5 V
  • Output Current (Sink)
    2 A
  • Output Current (Source)
    2 A
  • Channels
    2
  • Configuration
    High-side, Half Bridge
  • Isolation Type
    Galvanic isolation - Functional
受到推崇的
OPN
2ED020I12F2XUMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称 PG-DSO-36
封装名 N/A
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称 PG-DSO-36
封装名 -
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
EiceDRIVER ™ 1200 V 双高侧栅极驱动器 IC，具有典型的 2 A 拉电流和 2 A 灌电流输出，采用功能性电气隔离的 PG-DSO-36 封装，适用于 IGBT 和 SiC MOSFET。

特性

  • 无芯变压器隔离。驱动器
  • 2 A 轨到轨输出
  • 保护功能
  • VCEsat 检测
  • 有源米勒钳位

产品优势

  • 节省空间的封装
  • 提高能源效率

图表

Circuit_diagram_2ED020I12-F2
Circuit_diagram_2ED020I12-F2
Circuit_diagram_2ED020I12-F2 Circuit_diagram_2ED020I12-F2 Circuit_diagram_2ED020I12-F2
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