2ED020I12-FI
在产
符合RoHS标准
无铅

2ED020I12-FI

具有电流隔离、比较器和运算放大器的 1200 V 半桥栅极驱动器 IC
数据手册
封装

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2ED020I12-FI
2ED020I12-FI
数据手册

商品详情

  • PD输出
    1400 mW
  • RDSON_H（典型值）
    5 Ω
  • RDSON_L（典型值）
    10 Ω
  • RDSON_L（最大值）
    15 Ω
  • RthJA
    110 K/W
  • VBS UVLO (Off)
    11.2 V
  • VBS UVLO (On)
    12.2 V
  • VCC UVLO (On)
    12 V
  • VCC UVLO (Off)
    11 V
  • 关断传播延迟
    85 ns
  • 导通电阻 (RDSON_H)（最大值）
    7.5 Ω
  • 开通传播延迟
    85 ns
  • 电压等级
    1200 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入Vcc 范围
    14 V 至 18 V
  • 输出电流 (Sink)
    2.5 A
  • 输出电流 (Source)
    1.5 A
  • 通道数
    2
  • 配置
    Half-Bridge
  • 隔离类型
    Galvanic isolation - Functional
推荐的
OPN
2ED020I12FIXUMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-DSO-18
封装名 N/A
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-18
封装名 -
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EiceDRIVER ™ 1200 V 半桥栅极驱动器 IC，适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET，采用 PG-DSO-18 封装，典型拉电流为 1.5 A，灌电流为 2.5 A。

特性

  • 无芯变压器隔离。驱动器
  • 轨到轨输出
  • 保护功能
  • 浮动高侧驱动器
  • 双通道欠压锁定
  • 3.3V 和 5 V TTL 兼容输入

图表

Block_Diagram_2ED020I12-FI
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